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电子元器件详细资料 » IC[20487] » IPD80N06S3-09
型号:IPD80N06S3-09类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C8.4 毫欧 @ 40A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 55µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs88nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6100pF @ 25V
功率_最大107W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
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IPD80N06S3-09相关型号

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